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数量:9758 |
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类别 | Power MOSFET |
通道模式 | Enhancement |
渠道类型 | P |
配置 | Dual Drain, Single |
外形尺寸 | 6.5 x 3.56 x 1.6mm |
身高 | 1.6mm |
长度 | 6.5mm |
最大连续漏极电流 | 5 A |
最大漏源电阻 | 0.065 Ω |
最大漏源电压 | 30 V |
最大门源电压 | ±20 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 3 W |
最低工作温度 | -65 °C |
安装类型 | Surface Mount |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | SOT-223 |
引脚数 | 4 |
典型栅极电荷@ VGS | 22 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 690 pF V @ 15 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
典型导通延迟时间 | 9 ns |
宽度 | 3.56mm |
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